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日本napson電阻率測(cè)試儀半導(dǎo)體/導(dǎo)電薄膜用 EC-80非接觸渦流法電阻率和方電阻手動(dòng)測(cè)量?jī)x
產(chǎn)品型號(hào)：EC-80廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2024-10-13訪 問(wèn) 量：257
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日本napson電阻率測(cè)試儀半導(dǎo)體/導(dǎo)電薄膜用 EC-80 特點(diǎn)介紹
非接觸渦流法電阻率和方電阻手動(dòng)測(cè)量?jī)x
一種簡(jiǎn)單的測(cè)量裝置，只需將樣品放置在探頭之間即可進(jìn)行測(cè)量。
在電阻率和方塊電阻測(cè)量模式之間輕松切換
使用 JOG 旋鈕輕松設(shè)置測(cè)量條件
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體能電池材料相關(guān)（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬、ITO等）
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
日本napson電阻率測(cè)試儀半導(dǎo)體/導(dǎo)電薄膜用 EC-80 規(guī)格參數(shù)
非接觸渦流法電阻率和方電阻手動(dòng)測(cè)量?jī)x
一種簡(jiǎn)單的測(cè)量裝置，只需將樣品放置在探頭之間即可進(jìn)行測(cè)量。
在電阻率和方塊電阻測(cè)量模式之間輕松切換
使用 JOG 旋鈕輕松設(shè)置測(cè)量條件
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體能電池材料相關(guān)（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬、ITO等）
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
非接觸渦流法電阻率和方電阻手動(dòng)測(cè)量?jī)x
一種簡(jiǎn)單的測(cè)量裝置，只需將樣品放置在探頭之間即可進(jìn)行測(cè)量。
在電阻率和方塊電阻測(cè)量模式之間輕松切換
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